De presentatie wordt gedownload. Even geduld aub

De presentatie wordt gedownload. Even geduld aub

Geleiding in vaste stoffen. 4.1. Metalen  geen spanning: e - ordeloos door elkaar  wel spanning: e - naar +-pool.

Verwante presentaties


Presentatie over: "Geleiding in vaste stoffen. 4.1. Metalen  geen spanning: e - ordeloos door elkaar  wel spanning: e - naar +-pool."— Transcript van de presentatie:

1 Geleiding in vaste stoffen

2 4.1. Metalen  geen spanning: e - ordeloos door elkaar  wel spanning: e - naar +-pool

3 4.2. Isolator  valentie-elektronen sterk gebonden

4 4.3. Halfgeleider  element uit groep IVa Si Ge  4 elektronen op buitenste schil  covalente bindingen  elektrische eig n zijn afh van temperatuur

5 intrinsieke of zuivere halfgeleider bij lage T:  de 4 valentie-e - vormen covalente bindingen met omringende atomen  alle valentie-e - gebonden  isolator

6 bij hoge T:  voldoende thermische energie  excitatie van valentie-e - ° vrij e - ° positief gat of holte (ook vrij!)  evenveel vrije e - als gaten  geleider  naburig e- maakt zich los  holte wordt opgevuld door dit elektron (recombinatie)

7  bij aanleg spanning: geöriënteerde beweging van gaten en e -  intrinsieke halfgeleiding door e - en holten!

8  toepassing: LDR (licht-afhankelijke weerstand) thermische energie (licht) om elektronen te exciteren is als licht ↑ → R ↓ → I ↑

9 gedopeerde halfgeleider  vreemde atomen aan rooster toevoegen (doperen): 1 atoom per 10 6 atomen weerstand daalt met factor soorten (n- en p-type dopering)  extrinsieke halfgeleiding  nadeel zuivere halfgeleiding: stroom heel klein daarom:

10 n-type dopering  dopering met As (groep Va) 4 e - covalente binding 1 e - heel zwak gebonden (bijna vrij)  donor  kern: vast positief ion (geen gat)

11 Samengevat  As = vast positief roosterion (GEEN gat)  stroom veroorzaakt door negatieve e -  n-type dopering  # vrije e - >> # gaten (gaten enkel van intrinsieke halfgeleiding)

12 p-type dopering  dopering met In (groep IIIa) 3 e - covalente binding 1 positieve holte over  acceptor  kern: vast negatief ion (In neemt e - op)

13 Samengevat  In = vast negatief roosterion  stroom veroorzaakt door positieve holten  p-type dopering  # gaten >> # vrije e - (vrije e - enkel van intrinsieke halfgeleiding)


Download ppt "Geleiding in vaste stoffen. 4.1. Metalen  geen spanning: e - ordeloos door elkaar  wel spanning: e - naar +-pool."

Verwante presentaties


Ads door Google